Компания Samsung приступила к серийному производству 3D V-NAND флэш-памяти. Данная флэш-память характеризуется 256-гигабитной плотностью, которая достигается с помощью трехмерной флэш-памяти с 48 слоями. Многослойный дизайн позволяет достичь объема в 32 гигабайта в рамках одного кристалла - по заявлению компании Samsung это позволит удвоить объем твердотельных накопителей вдвое без изменения их физических размеров.

3D V-NAND флэш-память с 48-слойным дизайном позволит сократить потребление электроэнергии на 30% и увеличить производительность на 40% по сравнению с 32-слойными чипами (предшествующее поколение V-NAND-памяти).

Стоит заметить, что компания SanDisk уже имеет тестовые образцы чипов данной памяти и планирует серийный выпуск в 2016 году.