Intel® для бизнеса

48-слойная 3D V-NAND флэш-памяти от Samsung и SanDisk

Компания Samsung приступила к серийному производству 3D V-NAND флэш-памяти. Данная флэш-память характеризуется 256-гигабитной плотностью, которая достигается с помощью трехмерной флэш-памяти с 48 слоями. Многослойный дизайн позволяет достичь объема в 32 гигабайта в рамках одного кристалла - по заявлению компании Samsung это позволит удвоить объем твердотельных накопителей вдвое без изменения их физических размеров.

3D V-NAND флэш-память с 48-слойным дизайном позволит сократить потребление электроэнергии на 30% и увеличить производительность на 40% по сравнению с 32-слойными чипами (предшествующее поколение V-NAND-памяти).

Стоит заметить, что компания SanDisk уже имеет тестовые образцы чипов данной памяти и планирует серийный выпуск в 2016 году.

*Корпорация Intel не принимает на себя никакой ответственности, не дает никаких обязательств и не предоставляет никаких прямых и косвенных гарантий в отношении содержания настоящего сайта, в том числе гарантий пригодности для определенной цели, ликвидности, правильности, уместности, а также отсутствия нарушения патентных прав, авторских прав и иных прав интеллектуальной собственности. Любые третьи стороны могут использовать содержание настоящего сайта на свой страх и риск.
Intel, логотип Intel, Intel Atom, Intel Core, Intel vPro, Intel Xeon Phi, Iris, Itanium, Pentium, Ultrabook, Xeon, являются товарными знаками корпорации Intel в США и/или других странах.
* Другие наименования и товарные знаки являются собственностью своих законных владельцев.